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    學術交流

    北京計算科學研究中心教授魏蘇淮做客“王天眷講壇”第四十四講

    發表日期:2021-04-16來源:放大 縮小

      330日,精密測量院王天眷講壇第四十四講在波譜樓舉行。北京計算科學研究中心教授魏蘇淮作為主講嘉賓,應邀為廣大師生作題為“Band Structure Engineering and Defect Control of Semiconductors for Energy Applications”的學術報告。精密測量院首席科學家詹明生研究員主持了此次講座,并向魏蘇淮頒發了王天眷講壇講席教授的聘書和銘牌。 

      魏蘇淮現任北京計算科學研究中心講座教授、材料與能源研究部主任、國家特聘專家、國家重點專項首席科學家、國家基金委重大項目負責人、美國物理學會會士(APS Fellow)、美國材料學會會士(MRS Fellow)。1981年本科畢業于復旦大學,1985年在美國威廉瑪麗學院取得理學博士學位,1985-2015年間在美國可再生能源國家實驗室(NREL)歷任博士后、科學家、資深科學家、首席科學家、理論研究室主任、實驗室Fellow;在半導體能帶理論、缺陷與合金物理、能源與光電材料設計和計算方法等方面取得了系統的原創性成果;已發表SCI論文520余篇,包括72PRL。論文被引用59000多次,H因子120。 

      報告會上,魏蘇淮從密度泛函理論的基礎講起,結合自己的研究工作深入淺出地介紹了這一材料科學中的重要計算方法及其在電子器件、發光材料和能源材料等方面的應用。密度泛函理論是從微觀第一性原理出發分析材料物理及化學性質的計算方法,在物理、化學、生物等各個學科領域以及工業、產業界都有廣泛的應用,是不可或缺的理論工具。報告中,他系統介紹了與合作者對密度泛函方法的發展,特別是SQSspecial quasirandom structures)方法。此方法在計算合金物性上表現優異,是目前行業計算的標準方法,在能源材料的計算與設計方面具有重要意義。與會師生認真聆聽了魏蘇淮的精彩報告,深感受益匪淺。報告會后魏蘇淮對大家的踴躍提問進行了詳細的解答,并與現場師生展開熱烈的討論。 

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